国产DDR5惊艳亮相！高达80%的良品率，17.5纳米工艺媲美国际三大原厂

国产DDR5强势登场！性能突破，品质领先，引领行业新潮流

智慧科技

　　 近日，金百达与光威相继推出了采用国产芯片的DDR5内存产品，这些产品的频率均为6000MHz，单条容量为16GB，双条套装的价格定在了499元。这一举动标志着国内存储芯片技术的进步，也显示出国产品牌在技术创新方面的努力。随着国产芯片的不断成熟和应用，未来可能对进口产品形成有力的竞争，这不仅有助于降低消费者的购买成本，也有助于提升整个行业的自主创新能力。

　　 尽管没有明确宣布，但各种迹象均表明，DDR5芯片是由长鑫存储生产的，并且显然已经实现了规模化量产。

　　 长鑫此前的主要产品是DDR4、LPDDR4、LPDDR4X系列，制造工艺都是19纳米，2023年11月正式推出LPDDR5，用于移动端，如今终于迈入了DDR5的行列，与三星、SK海力士、美光三大原厂平起平坐。

　　 据业内知情人士透露，长鑫存储确已开始生产DDR5内存，并已与客户进行接触，公布的产成品良率大约为80%。

　　 要知道，三星和SK海力士的DDR5芯片良率在80%-90%之间，显然长鑫已经达到了这一国际先进水平，而且其良率还有进一步提升的空间。

　　 半导体行业观察机构TechInsights的Jeongdong Choi博士也在高度关注长鑫DDR5，并寻找机会进行分析。

　　 他透露，尽管长鑫尚未公布具体的技术细节，但据我了解，目前市场上的DDR5内存大多采用的是G3工艺制造，其线宽（特征尺寸）为17.5纳米。 从技术发展的角度来看，这种工艺水平与行业内的普遍认知相符。这表明长鑫在DDR5内存技术的研发上可能已经达到了业界主流的标准。然而，考虑到长鑫并未公开详细的官方信息，我们仍需等待更多验证以确认其具体的技术参数和优势。这一现状也提醒我们，在评估企业技术实力时，不仅要看其已发布的消息，还需结合行业背景进行综合分析。

　　 相比之下，DDR4使用的是G1工艺，线宽22纳米，LPDDR4X则使用G1、G3。

　　 要知道，长鑫早已被列入美国的实体清单，无法获取三大原厂同等的EUV光刻设备，只能依靠现有的设备和技术。即便如此，仍能实现高良率量产DDR5，这无疑是一项重大突破。

　　 顺带一提，长江存储今日宣布推出致态TiPro9000，这标志着其在PCIe 5.0 SSD领域的首次尝试。该产品采用了新一代晶栈Xtacking 4.0架构闪存技术，尽管官方没有透露具体的层数信息，但明确指出这项技术带来了更高的存储密度、更快的I/O速度以及更强的可靠性，无疑是一个令人振奋的消息。 这款产品的发布不仅展示了长江存储在技术创新方面的持续努力，也意味着中国在高端存储解决方案领域迈出了坚实的一步。随着数据中心和高性能计算需求的不断增长，拥有自主知识产权的高性能SSD将有助于提升国内企业在国际市场的竞争力。同时，这也为消费者提供了更多选择，特别是对于追求极致性能的用户而言，TiPro9000无疑是一个值得关注的新选项。