突破极限！日本DNP成功开发2nm及以下工艺光掩模图案，引领High NA兼容光刻技术

揭秘未来之光：DNP突破2nm光刻技术，引领半导体制程新风向

智慧科技

　　 12月27日消息，DNP大日本印刷在当地时间本月12日宣布，成功在光掩模产品上绘制了适用于2nm及以下EUV工艺的精细光掩模图案。此外，该公司还完成了支持HighNA EUV光刻技术的光掩模初步评估，并已向生态合作伙伴提供了样品。

　　 注：

　　 在当代光刻技术中，光掩模上的“大图案”充当了晶圆上芯片电路“小图案”的模板。

　　 DNP在2023年成功开发了适用于3nm工艺的光掩模。而要满足2nm及以下工艺的光掩模需求，不仅要求直线图案的尺寸比3nm世代产品缩小20%，还需要在更为复杂的曲线图案上实现相同的比例缩小。

　　 DNP此次成功绘制精细图案，表明其光掩模产品能够满足2nm及以下制程逻辑半导体的生产要求，为更高效率的逻辑芯片制造奠定了基础。该企业计划在2027财年（从同年4月开始）实现2nm光掩模的量产。

　　 考虑到DNP与Rapidus之间的合作关系，DNP的最新光掩模产品预计会被应用于Rapidus计划在2025年4月启动的2nm试验生产线。