三星电子西安工厂加速升级：年内推出全新V9 NAND闪存产线

三星电子西安工厂：引领全新V9 NAND闪存技术风潮

　　 2月13日消息，韩媒SEDaily昨日报道称，三星中国西安NAND闪存工厂在将工艺从第六代V-NAND（注：136层）升级到第八代（238层）的同时，还计划在今年内增设第九代（286层）生产线。

　　 报道宣称，三星西安NAND工厂计划在今年上半年引进生产V9 NAND所需的新型设备，目标是在年底前建立一条每月能处理2000至5000片晶圆的生产线。

　　 三星电子去年宣布其第九代V-NAND技术的TLC和QLC颗粒已实现量产，目前这些产品正在位于韩国平泽的P4工厂进行生产。三星下一代堆叠层数达到4XX层的V10 NAND预计将于2月19日在ISSCC2025会议上正式发布。

　　 韩媒认为，三星正在通过制程升级转换来增加其在高性能、高容量、高盈利能力的“三高”先进节点NAND的生产比例，以应对当前不景气的闪存市场状况。这一举措不仅能提高其产品的竞争力，还能够通过工艺变动带来的自然减产加速市场的供需平衡。 这种策略显示了三星在面对市场需求疲软时采取的积极措施，既着眼于长期的技术优势，又考虑到了短期的市场调整。通过提高先进节点NAND的产能比例，三星不仅能够在技术上保持领先地位，还可能在市场复苏时占据更有利的位置。然而，如何在技术升级和市场需求之间找到平衡点，将是三星面临的一大挑战。