突破极限：铠侠革新闪存技术，332层存储缔造全球第一容量与速度传奇

332层存储革命：铠侠引领闪存新时代，重塑容量与速度巅峰

　　 2月21日，铠侠宣布与闪迪合作研发的第10代BiCS3D NAND闪存取得了重大突破。这种新型闪存在堆叠层数、存储密度以及接口速率方面均实现了显著提升，标志着在存储技术领域迈出了重要的一步。 这种技术创新不仅展示了铠侠和闪迪在研发领域的强劲实力，同时也预示着未来存储设备将拥有更高的性能和更大的容量。对于消费者而言，这意味着未来的电子设备可能会提供更快的数据读写速度和更可靠的存储解决方案。此外，这一进步也有望降低单位存储成本，为市场带来更具竞争力的产品。

　　 铠侠新推出的闪存采用了CBA双晶圆键合技术，分别制造CMOS控制电路和NAND存储阵列，之后再将它们键合在一起。这一技术实际上借鉴了长江存储的Xtacking晶栈架构。

　　 3D堆叠层数达到了前所未有的332层，相比第8代的218层增加了约38%，同时也超越了SK海力士的321层、三星的290层、美光的276层以及西数的218层。

　　 铠侠的目标，是在2027年造出1000层堆叠的3D闪存。

　　 由于增加了更多的层数，存储密度据称提高了59%，计算下来大约为每平方毫米36.4Gb，这同样远远超过了竞争对手。西部数据只能达到每平方毫米22.9Gb，而SK海力士更是仅有每平方毫米20Gb。

　　 不过，铠侠暂未公布具体的闪存类型(TLC/QLC)，以及单Die容量。

　　 新款闪存同样兼容ToggleDDR6.0接口标准，其传输速率高达4800MT/s，较上一代提升了33%，再次创下新高，超越了美光和西数的3600MT/s。

　　 此外，铠侠此次还引入了PI-LTT低功耗技术，使输入功耗降低了10%，输出功耗减少了34%，从而更符合AI技术的需求。