领跑下一代科技!台积电美国亚利桑那州 Fab 21 晶圆厂成功打造4nm芯片
1月18日消息,据外媒Tom'sHardware报道,台积电确认其位于美国亚利桑那州的Fab21晶圆厂已在2024年第四季度开始进行大规模生产4nm工艺(N4P)芯片。
由于Fab21晶圆厂面临更高的折旧成本、较小的生产规模、当地不完善的产业生态系统,以及需要将芯片运回亚洲进行封装等挑战,台积电在该工厂制造相同4nm芯片的成本更高,因此对订单的收费也高于台湾地区的其他工厂。
据了解,台积电目前在美国亚利桑那州已设有两座晶圆厂,去年4月又宣布将投资金额增加250亿至650亿美元(注:约合4768.89亿元人民币),并计划于2030年在亚利桑那州增设第三座晶圆厂。
台积电宣布其2纳米晶圆的量产计划将在2025年下半年正式启动。与此同时,台积电也表示将继续增强其在台湾地区工厂的3纳米制程产能。这一系列举措不仅展示了台积电在尖端半导体制造领域的持续领先地位,也反映了全球芯片需求的不断增长。随着技术的进步和市场需求的变化,台积电的这些投资无疑将为其在全球竞争中赢得更多优势,并为整个行业的发展注入新的动力。