中国第三家厂商成功突破HBM2内存技术！身份神秘，刷新行业记录

揭秘神秘身份，描绘HBM2内存技术新篇章！

　　 1月25日消息，中国半导体企业在接连突破DDR4/DDR5内存和NAND闪存技术之后，正全力以赴攻克另一个关键领域——HBM高带宽内存。这一技术对于AI人工智能和HPC高性能计算至关重要，而中国企业在这一领域也取得了显著进展。 这一系列的技术突破不仅展示了中国半导体产业的迅猛发展势头，也标志着中国在全球半导体行业中的地位不断提升。尤其在当前全球芯片短缺的大背景下，这些进展为中国本土企业提供了一个难得的历史机遇，使其能够在高端存储技术领域与国际巨头一较高下。同时，这也为未来中国在人工智能和高性能计算领域的进一步突破奠定了坚实的基础。

　　 据日经新闻报道，中国存储企业在推进HBM2内存方面正展现出稳步前行的姿态。最近，通富微电子已开始进行HBM2的试生产，并向特定客户供货。这一进展不仅显示了中国半导体产业在高端内存技术上的突破，也表明中国企业在全球高性能计算领域正逐步增强竞争力。这一步伐或将对全球半导体市场格局产生深远影响，值得持续关注。

　　 通富微电子实际上并不是一家专注于存储产品的公司，而是全球领先的集成电路封测服务提供商，排名全球第三。这家公司在封测领域的专业能力得到了市场的广泛认可，而其最大的合作伙伴便是AMD。两家公司还共同投资建立了苏州通富超威半导体有限公司（TF-AMD），这进一步巩固了他们在高性能计算领域的合作。此外，联发科也是通富微电子的重要客户之一。 从这一角度来看，通富微电子在封测行业的地位不容小觑，尤其是在与AMD等国际巨头的合作中展现了其强大的技术实力和服务水平。这也说明，尽管存储业务在市场上备受关注，但集成电路封测领域同样具有巨大的发展潜力和商业价值。通过深化与国内外领先企业的合作，通富微电子有望在未来继续保持行业领先地位，并在全球半导体产业链中扮演更加重要的角色。

　　 2015年，在AMD处于困境之际，它以3.71亿美元的价格将其位于中国苏州和马来西亚槟城的封装测试工厂出售给了南通富士通微电子，后者随后通过重组成为了通富微电子的一部分。

　　 日经称，华为通富微电子HBM2的客户之一。

　　 至于首批生产HBM2内存的中国厂商，其中一家是广为人知的长鑫存储(CXMT)，近期他们刚刚发布了DDR5内存，另一家则是武汉新芯(XMC)。

　　 在国际上，三星、SK海力士和美光这三大存储巨头已经将技术推进到了HBM3E阶段，并即将推出第四代HBM4。如同其他技术领域一样，一旦我们拥有了这些先进技术，追赶并达到世界领先水平就只是一个时间问题了。