干式光刻胶技术突破！逻辑半导体28nm间距直接图案化有望实现

光刻技术革新，逻辑半导体制程迈向新的里程碑

　　 1月26日消息，泛林集团Lam Research于本月14日在美国加州宣布，其干式光刻胶技术已成功通过imec认证，能够在逻辑半导体的后道工艺（即BEOL，互联层制作）中实现28nm间距的直接图案化，从而满足2nm及以下先进制程的需求。 这一突破性进展不仅标志着泛林集团在半导体制造技术上的又一重要里程碑，也意味着全球芯片制造商在推进更小制程节点的过程中有了新的工具。该技术的成功应用将极大提升芯片制造的效率与灵活性，有助于加速下一代高性能计算芯片的研发进程。同时，这也可能为半导体行业带来新的变革，推动整个产业向更高水平发展。

　　 目前在先进制程领域常用的光刻胶是基于化学放大原理的湿式旋涂光刻胶，而泛林的干式光刻胶则是通过小于0.5纳米的金属有机化合物气相沉积工艺制造而成。

　　 泛林宣布其干式光刻胶在光子捕获效率上表现出色，并且光刻胶层的厚度调节更加便捷。实际应用中，这种新型光刻胶能够解决EUV光刻过程中曝光剂量与缺陷率之间的主要矛盾，同时相较于湿化学光刻胶更加环保。

　　 泛林集团的干式光刻胶在后道工艺中的图案化能力已经在0.33（Low）NA EUV光刻机上得到了验证，这标志着技术的一大进步。随着未来0.55（High）NA EUV光刻平台的逐步投入使用，这项技术的应用前景将更加广阔。干式光刻胶在低数值孔径设备上的成功应用为后续在高数值孔径设备上的推广奠定了坚实的基础，这不仅提升了半导体制造的精度，也为未来的芯片设计提供了更多的可能性。 从行业角度来看，这种技术的进步无疑会推动整个半导体行业的技术革新。尤其是在当前全球半导体供应链面临挑战的情况下，提高生产效率和产品质量变得尤为重要。泛林集团的技术突破不仅有助于增强其市场竞争力，还可能带动整个产业链的发展，促进相关技术的普及和应用。