长江存储推出全新第五代 3D TLC NAND 闪存，创新总层数达 294 层

刷新存储技术新高度，长江存储引领 294 层 3D TLC NAND 闪存创新

　　 1月31日消息，据外媒Tom's Hardware报道，长江存储已开始出货其第五代3D TLC NAND闪存，该产品拥有294层堆叠结构和232个有源层。这一进展不仅标志着中国在高端存储技术领域取得了显著突破，也意味着长江存储在全球存储市场竞争中迈出了重要一步。 随着技术的不断进步，这种高密度、高性能的存储解决方案无疑将为市场带来新的活力。对于用户而言，这可能预示着未来在数据存储方面将有更多选择，同时也可能会推动相关产品价格的进一步下降。长江存储的这一成就不仅展示了其强大的研发能力，也为全球半导体行业树立了新的标杆。

　　 外媒指出，长江存储在其闪存产品中采用了晶栈4.0（即Xtacking 4.0）架构，通过混合键合技术将闪存阵列与CMOS逻辑电路及接口连接起来，从而显著提升存储密度和输入输出性能。

　　 长江存储在第五代3D TLC NAND闪存技术上取得了显著进展，其位密度达到了超过20 Gb/mm²。这一成绩虽然略逊于铠侠和西部数据联合研发的BiCS8 QLC NAND闪存的22.9 Gb/mm²，但仍然展示了长江存储在存储技术领域的强劲竞争力。这表明长江存储正在快速追赶国际领先水平，并且有可能在未来的技术迭代中进一步缩小差距。 这种进步不仅对长江存储自身意义重大，也为中国半导体行业注入了新的活力。随着技术的不断突破，中国企业在高端存储芯片市场的地位有望得到进一步巩固。同时，这也意味着全球存储市场竞争格局可能会发生微妙变化，为市场带来更多元化的选择。

　　 外媒称，目前，长江存储已经成功将闪存密度提升至行业平均水平，这标志着该公司已经成为全球NAND市场中的一个重要竞争者。这一成就不仅展示了长江存储在技术创新方面的显著进步，也意味着中国在半导体领域自给自足的目标又向前迈进了一步。随着技术的不断成熟，相信长江存储在未来能够进一步缩小与行业领先者的差距，并在国际市场上占据更加稳固的地位。