三星获英伟达认可，HBM3E芯片登上人工智能巅峰，SK 海力士依旧独领风骚

HBM3E：引领人工智能新时代

　　 2月1日消息，据彭博社报道，知情人士透露，三星电子已获得许可向英伟达提供高性能高带宽存储芯片。这款由韩国三星制造的8层HBM3E芯片在去年12月获得了相关批准。 这一消息表明，三星在高端存储芯片领域取得了显著进展，这对于提升其在全球半导体市场的竞争力具有重要意义。随着人工智能和高性能计算需求的增长，高带宽存储芯片的需求也在不断上升，这不仅为三星带来了新的商业机会，也有助于推动整个行业的技术进步。

　　 尽管该批准使三星向前进了一大步，但在高带宽内存（HBM）技术领域，它依然落后于SK海力士和美光科技等竞争对手。SK海力士依旧是英伟达最尖端AI芯片的唯一供货商，特别是在即将发布的Blackwell系列中所使用的12层HBM3E芯片。

　　 注意到，去年12月有报道称，三星电子因为8层和12层堆叠的HBM3E内存样品性能未能达到英伟达的要求，导致其难以在今年（2024年）内正式启动对这家大客户的供应。实际供货时间被推迟到了2025年。而现在已经是2025年2月了。

　　 据悉，早在2023年10月，三星电子就开始向英伟达提供HBM3E内存的质量测试样品，然而，在此之前的一年多时间里，三星HBM3E的认证流程并未取得显著进展。