三星突破性创新：重新设计1cnm DRAM，助力HBM4量产！

颠覆性突破：革新1cnm DRAM，引领HBM4量产新时代！

　　 2月12日消息，据韩国媒体报道，三星电子正在调整其第六代1cnm DRAM的设计，以提高良品率，确保HBM4内存的顺利量产。

　　 三星的1Cnm DRAM自开发以来一直存在良品率问题，2024年末的试产结果未达预期。在准备大规模生产的阶段，良品率通常维持在60%至70%左右。

　　 为了提高良品率，三星计划对设计进行调整，核心电路线宽维持不变，而外围电路线宽的要求则有所放宽。这一改进有望大幅提升良品率，保证HBM4内存的稳定生产。

　　 三星计划在2025年6月开始量产1cnm DRAM，以推动HBM4的生产。HBM4内存是三星未来内存业务的关键部分，因此保证1cnm DRAM的高良品率对三星的市场竞争力至关重要。

　　 竞争对手SK海力士计划最早于2025年2月开始量产1cnm DRAM芯片，这将使其成为全球首个采用1cnm工艺制造DRAM芯片的存储器供应商。