三星半导体高层会晤NVIDIA，展示改良样品，誓言夺取HBM订单

三星半导体攀上HBM高端市场巅峰，NVIDIA改良样品助力夺取订单

　　 2月18日消息，据韩国媒体报道，三星电子半导体部门负责人全永鉉上周亲自前往美国英伟达总部，展示了三星最新改良的1b DRAM样品。这一举动表明三星在技术竞争中的积极姿态，并且可能预示着未来两家公司在某些领域可能会有更深入的合作机会。三星此举不仅展示了其在DRAM技术上的最新进展，也体现了其在全球半导体市场上的领导地位和对技术创新的不懈追求。

　　 英伟达曾在2024年要求三星改进1bDRAM的设计，以解决良品率和过热问题，此次全永鉉展示的样品正是根据英伟达的要求进行的改良版本。

　　 通常情况下，三星DS部门负责人亲自向客户展示样品的情况较为罕见，这也表明此次访问的重要性。

　　 三星原本计划使用1a DRAM（1b DRAM的前代产品）制造8层和12层HBM3E，并跳过1b DRAM直接使用1c DRAM制造HBM4。

　　 然而，英伟达坚持要求使用1bDRAM，迫使三星不得不重新调整其计划。目前，三星的主要竞争对手SK海力士已成功向英伟达提供了12层HBM3E，而美光也预计在近期开始生产针对AI加速器的HBM产品。 这一系列动态显示了全球半导体行业内的激烈竞争。英伟达作为GPU市场的领导者，在推动高性能计算需求方面起着关键作用。面对英伟达的技术要求，三星必须加快技术更新步伐以保持竞争力。与此同时，SK海力士和美光等企业也在积极应对市场需求，通过提供先进的存储解决方案来巩固其市场地位。这不仅反映了各大企业在人工智能领域中的战略布局，也凸显了高性能计算对现代科技发展的重要性。

　　 上个月，三星宣布其优化后的HBM3E准备情况良好，并计划在今年第二季度开始大规模生产并供应。在DRAM领域享有盛誉的全永鉉领导了1b DRAM的设计改进工作。