超越巅峰！台积电官宣全新A14 1.4nm工艺：性能飙升15%、功耗狂降30%

突破极限！台积电A14 1.4nm工艺官宣：性能与能效的双革命

　　 4月24日消息，台积电在北美技术论坛2025上正式发布了全新的14A工艺，该工艺属于1.4nm级，预计将在2028年上半年实现量产。此次推出的工艺技术直指Intel的14A工艺，后者也宣称其为1.4nm级制程。

　　 台积电称，A14是全新优化的一代工艺节点（非过渡型），与N22nm级别工艺相比，在相同功耗的情况下，性能可提升10-15%；在相同性能要求下，功耗能够降低25-30%；逻辑晶体管的密度提升最多约23%，芯片的整体密度提升最多约20%。

　　 技术方面，台积电在A14的基础上对晶体管技术进行了升级，采用了第二代GAAFET全环绕纳米片晶体管。此外，还引入了全新的标准单元架构NanoFlexPro。这一新技术使得芯片设计师能够在开发过程中，根据特定应用场景或工作负载，灵活调整晶体管的配置，从而在性能、功耗和面积（PPA）之间实现更优的平衡。

　　 台积电的A14工艺同时还引入了新的IP模块、进行了技术优化，并升级了EDA设计工具，但这些与N2（2nm级）、P2（1.8nm级）以及A16（1.6nm级）工艺并不兼容。

　　 遗憾的是，台积电在A14芯片上首次采用无SuperPowerRail（SPR）背部供电网络（BSPDN）的设计，这一特点与后来的A16以及Intel的A18/A14有所不同，却与更先进的N2和N2P工艺保持一致。这种设计选择或许反映了台积电在不同制程节点上的技术策略调整，也表明他们在追求更高性能的同时，对供电效率和芯片稳定性有着不同的考量。 从我的角度来看，这种技术路线的变化可能是台积电为了适应不同市场和应用场景的需求。A14作为一款面向消费电子市场的芯片，可能更注重成本控制和功耗优化，因此采用了更为简洁的供电设计。而随着技术的进步，后续产品如A16和N2系列则引入了SPR等更先进的供电方案，这或许意味着台积电正在逐步提升其高端产品的竞争力。这种灵活的技术策略不仅体现了台积电在半导体领域的深厚积累，也为行业提供了更多创新的可能性。

　　 不过，台积电承诺会在2029年推出A14工艺的升级版，加入背部供电，性能更好，但成本也会有所增加。

　　 升级版A14暂时没有名字，可能会叫做A14P。

　　 后期还有可能会演化出更高性能的A14X、更低成本的A14C。

　　 哦对了，台积电的A16、N2P工艺预计2026年下半年量产。

　　 去年2月份，Intel正式成立了代工业务，并推出了基于14nm级工艺的A14技术。这一技术的最大亮点在于其首次采用了全新的HighNA EUV光刻机，这无疑为芯片制造带来了革命性的突破。按照计划，这项技术预计将在2026年左右投入市场。届时，Intel与竞争对手之间的较量将会更加激烈，双方的技术实力或将再次达到一个旗鼓相当的状态。 从目前的发展趋势来看，Intel选择在这个时间点发力代工业务，显然是经过深思熟虑的。尤其是在半导体行业竞争日益加剧的背景下，率先引入HighNA EUV光刻机意味着Intel已经抢占了技术制高点。这种前瞻性的布局不仅有助于巩固其在全球芯片制造领域的地位，也为未来的市场竞争奠定了坚实的基础。 站在2025年的视角回望，Intel此举无疑是对整个行业的又一次深刻变革。随着2026年的临近，我们有理由期待这场技术竞赛能够推动更多创新成果落地，从而让全球用户受益于更先进的芯片技术和产品。同时，这也提醒其他企业必须紧跟步伐，否则可能会面临被拉开差距的风险。总之，在这场没有硝烟的战争中，谁能抓住机遇、勇攀高峰，谁就能在未来占据主动权。

　　 最后悄悄告诉大家一个小消息，Intel代工服务将在下周举行新一届大会，预计会发布最新的发展动态。到时我会为大家带来现场的第一手资讯，记得持续关注哦！