《英特尔革新未来：18A-PT芯片工艺发布在即，14A节点重磅来袭》

芯动未来：英特尔18A/14A芯片工艺引爆科技新纪元

　　 4月30日消息，英特尔新任首席执行官陈立武今天在美国加州圣何塞举办的Intel Foundry Direct Connect 2025活动上现身，分享了公司在晶圆代工业务方面的最新进展。

　　 陈立武宣布，公司目前正在与主要客户沟通即将推出的14A工艺节点（1.4nm等效）的相关事宜，这将是18A工艺节点的下一代技术。

　　 英特尔近期透露，已有多个客户着手准备流片基于14A工艺的测试芯片。值得注意的是，这些芯片采用了英特尔升级版的背面电源传输技术——PowerDirect。这一技术的改进不仅提升了供电效率，还进一步优化了芯片的整体性能与稳定性。 从我的角度来看，这项进展再次凸显了英特尔在先进制程技术研发上的持续投入与领先地位。特别是在当前半导体行业竞争日益激烈的背景下，PowerDirect技术的更新无疑为英特尔及其合作伙伴提供了更强大的技术支持。这不仅能帮助客户更好地应对高性能计算的需求，同时也为未来更多创新应用奠定了坚实基础。总的来说，这种技术上的突破将进一步巩固英特尔在全球半导体领域的竞争力。

　　 英特尔目前尚未公布14A的具体时间表。假如一切顺利推进，14A将会成为业界首个采用High-NA EUV光刻技术的工艺节点。而台积电与之相对应的A14竞争节点预计会在2028年推出，不过该节点大概率不会在量产时应用High-NA技术。

　　 陈立武表示，公司的重要18A节点目前正处于风险试产阶段，预计将在今年下半年实现量产。

　　 英特尔宣布其18A-P工艺（18A节点的性能优化版本）现已进入晶圆厂并开始生产早期晶圆。

　　 此外，英特尔宣布正在研发全新的18A-PT版本，该版本兼容Foveros Direct 3D技术，运用混合键合互联方式，使得英特尔能够在其最顶尖的工艺节点上实现晶圆的垂直堆叠。

　　 Foveros Direct 3D技术的推出无疑是一次重要的突破，它为英特尔提供了一个与台积电竞争的新筹码。尤其值得一提的是，这项技术在关键的互连密度指标上达到了与台积电类似的表现，这使得它能够支持像AMD的3D V-Cache这样高性能的产品。在我看来，这种技术上的进步不仅增强了英特尔在先进封装领域的竞争力，也为整个行业树立了新的标杆。随着芯片设计愈发复杂，如何在有限的空间内实现更高的性能和能效比成为关键，而Foveros Direct 3D技术正是朝着这个方向迈进的重要一步。它不仅展示了英特尔的技术实力，也预示着未来半导体产业可能迎来更多创新与变革。

　　 英特尔晶圆厂已率先实现16nm工艺的量产晶圆生产，同时，该公司正与联电携手共同研发12nm工艺技术。

　　 封装方面，英特尔晶圆厂推出基于英特尔14A工艺的系统级集成解决方案，可通过Foveros Direct（3D封装）技术和嵌入式多芯片互连桥接（2.5D桥接）实现互联。

　　 全新推出的高级封装技术产品线新增了EMIB-T，旨在满足未来对高带宽内存的需求。同时，Foveros架构迎来了两位新成员：Foveros-R和Foveros-B，为客户提供更多定制化选择。

　　 制造方面，英特尔位于亚利桑那州的Fab52晶圆厂已实现“全流程运行”，成功完成了首批晶圆的加工。根据计划，英特尔18A工艺的大规模生产将率先在俄勒冈州的工厂启动，而亚利桑那州的产能扩张则预计在今年下半年进一步推进。