三星首度 outsourcing 光掩模生产，剑指 ArF 与 EUV 技术新高地

三星首度外包光掩模生产，加速冲刺ArF与EUV技术新巅峰

　　 5月14日消息，光掩模作为制造集成电路的关键模具，主要用于对光致抗蚀剂涂层进行选择性曝光，其工作原理与冲洗照片时使用底片将影像转移到相纸上相似。

　　 韩国科技媒体TheElec今日发布消息称，三星电子打算将其生产内存芯片所必需的光掩模业务进行外部委托。

　　 据称，三星正在开展供应商评估工作，潜在合作企业有日本Toppan旗下的Tekscend Photomask以及美国Photronics的子公司PKL（该公司的工厂位于京畿道）。评估结果有望在第三季度对外公布。

　　 TheElec 报道称，三星准备将低端产品（i-line 365 纳米、KrF 248 纳米）进行外包，内部仅保留高端光掩模（ArF 193 纳米、EUV 13.5 纳米），原 i-line / KrF 资源转向 ArF / EUV 研发。

　　 报道称，三星选择将光掩模生产外包，原因在于其现有的i-line和KrF设备已逐渐老化，且市场上不再有新的供应来源，导致难以找到合适的替代设备。此外，由于低端光掩模技术的外泄风险相对较低，三星更倾向于专注于高端制程的研发与建设，以提升自身的竞争力。

　　 随着半导体工艺不断进步，芯片电路图案日益精密，光掩模的使用量也在持续增长。比如，10nm级别的逻辑芯片需要约67张光掩模，而预计1.75nm制程可能需要用到78张；传统DRAM芯片一般需要30到40张光掩模，但目前最先进的产品已超过60张。此外，多重曝光技术的应用进一步推高了对光掩模的需求量。