日月光发布革新性FOCoS-Bridge封装技术：电阻降幅达72%

日月光推出颠覆性FOCoS-Bridge封装技术：电阻大幅降低72%

　　 5月29日消息，日月光ASE昨日发布了一项全新的先进封装技术——FOCoS-Bridge with TSV硅通孔。相比之前的FOCoS-Bridge，这项新技术通过引入TSV硅通孔，能够提供更短的信号传输路径，从而实现更高的I/O密度以及更优的散热性能，更好地满足市场对不断提升的带宽需求。

　　 注意到，FOCoS-Bridge作为日月光VIPack平台的关键技术之一，通过在扇出型 redistribution 层内集成微型硅桥，实现了xPU与HBM之间的封装内互联。这一方案与台积电的CoWoS-L、英特尔的EMIB技术有着相似的应用场景和优势。

　　 TSV桥接芯片通过引入传统的横向信号连接方式，在FOCoS-Bridge封装系统中显著优化了电力传输的垂直路径长度。这一创新设计使得FOCoS-Bridge TSV相较于原始版本，在电阻和电感方面分别实现了72%和50%的降低。这种技术进步不仅提升了整体系统的效率，还为未来的高性能计算设备提供了更为可靠的能源支持。在我看来，这种技术创新标志着半导体封装领域的一个重要里程碑，它不仅解决了传统方案中的瓶颈问题，还为行业树立了新的性能标杆。随着这类技术的不断成熟，我们有理由期待更多突破性成果在未来涌现。

　　 日月光研发处长李德章表示：

　　 高性能计算和人工智能的快速发展对高算力的需求不断攀升，日月光推出的FOCoS-Bridge能够实现SoC与Chiplets以及HBM的高效集成。通过使用TSV技术，FOCoS-Bridge不仅提升了计算性能和能效，还进一步推动了先进封装技术的进步。