《南亚科技加速AI DRAM版图布局，定制内存项目剑指2026年验证突破》

南亚科技引领AI浪潮：定制内存计划瞄准2026年关键突破

　　 6月3日综合报道，台湾地区的内存厂商南亚科技正加速推进AIDRAM业务布局，力求在全球三大存储原厂激烈角逐HBM市场的背景下，在定制化领域抢占一席之地。

　　 南亚科技总经理李培瑛指出，AI应用内存的核心要素包括高密度的先进DRAM技术、采用3D TSV硅通孔工艺的多芯片封装方案，以及具备HBM设计能力的逻辑BaseDie。这些关键技术不仅推动了存储器性能的提升，还为未来的智能化应用场景奠定了坚实的基础。 在我看来，这四大关键元素正是当前半导体行业迈向智能化的重要里程碑。尤其是3D TSV硅通孔技术和多芯片封装的应用，不仅提升了内存容量和效率，还有效解决了散热和功耗的问题。同时，HBM设计能力和逻辑BaseDie的结合，则让高性能计算和AI加速成为可能。这些技术创新无疑将引领整个行业的未来发展潮流，同时也提醒我们，在追求技术突破的同时，还需关注其在实际应用中的落地效果。

　　 南亚科技已成功部署高密度先进DRAM技术，并与合作伙伴补丁科技、福懋科技共同推动TSV及封装技术的发展。同时，HBM设计和逻辑制程的BaseDie将通过战略性投资与合作方式实现。其定制化DRAM项目有望在2026年完成验证，并于2026年底至2027年开始贡献营收。

　　 随着三大内存原厂相继减产甚至停产DDR3和DDR4产品，南亚科技正成为这一供应链调整中的受益者，接下了不少转单需求。在市场普遍预期的提前备货趋势推动下，南亚科技的库存压力预计将得到缓解，三季度或能顺利完成库存清理。展望未来，该公司有望在四季度通过优化生产和运营效率，实现扭亏为盈的目标。 我的看法是，南亚科技在当前行业调整期的战略布局显得尤为重要。一方面，原厂的减产为其提供了抢占市场份额的机会；另一方面，市场需求的提前释放也为其业绩改善创造了条件。不过，需要注意的是，尽管短期前景向好，但内存行业的周期性波动依然存在，南亚科技仍需持续关注技术升级与成本控制，以维持长期竞争力。此外，在全球经济不确定性增加的背景下，公司还需警惕外部环境变化对需求端可能带来的影响。