国产三维闪存芯片突破：长江存储引领技术弯道超车

国产闪存芯跃出新高度，长江存储引领全球技术新赛道

　　 7月6日消息，据媒体报道，在2025年北京大学研究生毕业典礼上，长江存储首席科学家、校友霍宗亮作为校友代表发表讲话，向毕业生们送上祝福与建议。 从这则新闻中可以看出，高校与产业界之间的联系日益紧密。霍宗亮作为长江存储的首席科学家，不仅在学术领域有所建树，也在实际应用中发挥着重要作用。他的发言无疑为即将步入社会的毕业生提供了宝贵的参考。这种跨界的交流，有助于学生更好地理解理论与实践的结合，也为未来的就业和发展指明了方向。

　　 霍宗亮表示，自诞生以来，北大便承载着民族复兴的重任；北大人血脉中始终流淌着“家国天下”的精神基因。我们应当勇于面对寂寞与挑战，不追求短期的回报，在自主创新的道路上坚持不懈地努力奋斗。

　　 在长江存储的十余年间，团队坚持不懈、攻坚克难，推动我国三维闪存芯片技术从零起步，逐步实现从落后到追赶，再到超越的跨越式发展。 我认为，这一成就不仅标志着我国在半导体领域自主创新能力的显著提升，也体现了国家战略科技力量的重要作用。在国际技术封锁的背景下，长江存储的突破为我国集成电路产业的发展注入了强大动力，展现了中国企业在关键技术领域的决心与韧性。

　　 霍宗亮还称，在任何行业，若想实现具有突破性的成果，都需要具备承受一定艰辛和挑战的心理准备。

　　 据悉，长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家集芯片设计、制造、封装测试及系统解决方案于一体的存储器IDM企业。

　　 2017年10月，长江存储依托自主研发与国际合作的模式，成功研发出中国首款3D NAND闪存。2019年9月，采用长江存储自主知识产权Xtacking架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式实现量产。

　　 2020年4月，长江存储宣布成功研发出第三代TLC/QLC两款产品，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，在发布时创下了业界最高的I/O速度、最高的存储密度以及最大的单颗容量纪录。 从技术发展角度看，这一突破标志着国产存储芯片在性能和容量上迈出了重要一步。QLC闪存的成熟应用，不仅提升了产品的性价比，也为未来大容量存储需求提供了更有力的支持。长江存储的进展表明，中国在半导体领域正逐步缩小与国际领先企业的差距，具备了更强的自主研发能力。