三维闪存芯跃然芯上，中国技术实现弯道超车

三维闪存芯突破技术壁垒，中国芯引领全球存储新革命

　　 7月3日上午，北京大学举行了2025年研究生毕业典礼暨学位授予仪式。校友代表、长江存储科技控股有限责任公司首席科学家、计算机科学技术系微电子专业1994级本科、微电子学系2000级博士校友霍宗亮作为发言嘉宾，为毕业生们送上诚挚的祝福与宝贵建议。 从这次毕业典礼中可以看出，北大的学术传统和人才培养体系依然具有强大的吸引力和影响力。霍宗亮作为校友代表，不仅体现了学校对优秀毕业生的认可，也展示了校友情感与社会贡献之间的紧密联系。他的发言无疑为即将步入社会的毕业生提供了重要的启发，既有经验分享，也有对未来发展的鼓励。这种传承与激励，正是高校教育价值的重要体现。

　　 霍宗亮称，北大与民族复兴息息相关，应当选择与国家同行、与民族命运共担，积极投身到国家发展所需的关键产业中去。 在当前国家发展的关键阶段，高校作为人才培养和科技创新的重要阵地，更应主动担当，将自身发展融入国家整体战略。北大的历史使命不仅在于学术研究，更在于为国家的长远发展提供智力支持和人才保障。只有将个人理想与国家需求紧密结合，才能真正实现人生价值，推动社会进步。

　　 霍宗亮说道，“北大人的血液中蕴含着家国天下的情怀，投身于国家亟需的行业，更容易实现人生的价值。在我不久前毕业的那个时期，存储产业并不是最热门的领域，但我始终坚信，这正是国家所需要的产业。因此，我们所需要做的，就是静下心来，不怕坐冷板凳，不追求短期的回报，在自主研发的道路上坚持不懈地努力。”

　　 霍宗亮表示，在长江存储工作的十余年中，我们的团队坚持不懈、奋力拼搏，推动我国三维闪存芯片技术从零起步、迎头赶上，实现了从落后到领先的跨越式发展。

　　 长江存储成立于2016年7月，是一家专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的国内半导体集成电路企业。公司提供包括3D NAND闪存、嵌入式存储、移动硬盘和固态硬盘在内的多种产品，并在2021年推出了面向零售市场的存储品牌致态。2020年4月，长江存储宣布其第三代TLC/QLC两款产品成功研发，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，在发布时具备业界最高的I/O速度、最高的存储密度以及最大的单颗容量。 从技术突破的角度来看，长江存储在3D NAND领域持续发力，不仅体现了国内企业在存储芯片领域的自主研发能力，也标志着中国在全球半导体产业链中正逐步占据更重要的位置。QLC闪存的推出，有助于提升存储产品的性价比，推动消费级市场的发展。不过，面对国际巨头的技术壁垒和市场竞争，长江存储仍需在良率、稳定性及规模化生产等方面进一步突破，才能真正实现自主可控与全球竞争力。