美国投行惊爆：中国光刻机落后ASML竟达20年，技术短板何在？

中国光刻机短板曝光：ASML技术优势竟超20年？

　　 9月3日消息，据美国知名投行高盛昨日发布的观点指出，中国在先进芯片制造业方面相比西方技术仍存在约20年的差距。 这一数据反映出当前全球半导体产业中，中国在核心技术领域的追赶之路依然任重道远。尽管近年来国内企业在研发投入和产业链建设上取得了显著进展，但要在高端制程、设备、材料等关键环节实现突破，仍需长期积累与持续创新。同时，外部环境的不确定性也对技术自主化进程提出了更高要求。如何在保持开放合作的同时，加快构建安全可控的供应链体系，将是未来需要重点思考的方向。

　　 投资银行高盛指出，中国光刻机企业相较于美国同行仍存在约20年的技术差距。光刻技术是半导体生产过程中的关键环节，也是制约中国研发高端芯片的主要瓶颈。目前最尖端的光刻机由荷兰公司ASML生产，由于其制造过程中使用了美国原产的部件，因此美国政府有权限制其向中国出口。

　　 在高盛看来，美国对中芯国际施加制裁，限制其采购极紫外 (EUV) 芯片制造光刻机，这意味着中芯国际只能用更旧的工艺以更高成本的方式生产7nm芯片。

　　 这份报告引发了不少关注，随后他们也阐述了上述观点的核心原因，中国目前缺乏制造先进光刻机的能力，因为其所需的零部件在全球范围内生产，主要集中在欧美国家。

　　 光刻是芯片制造流程中的一个重要环节，它将芯片的设计图案通过光掩模转移到硅晶圆上。目前，高端设备如ASML的EUV以及高数值孔径EUV扫描仪，能够实现更小尺寸的电路图案转移，从而提升芯片的性能。在完成图案转移后，接下来会进行蚀刻工艺，以形成最终的电路结构，并在整个制造过程中进行材料的沉积和晶圆的清洁处理。

　　 因此，光刻技术在晶圆上精确复制微小电路中扮演着关键角色，这也使得光刻设备成为芯片制造过程中的核心瓶颈。随着半导体行业对更小制程的需求不断增长，光刻技术的突破与设备的供应能力愈发受到关注。当前，全球芯片产业的竞争力在很大程度上取决于光刻技术的先进程度和设备的稳定供应，这进一步凸显了该领域的重要性。