SK 海力士独家供应英伟达全新12层HBM3E芯片，引领下一代高性能计算革命

海力士领先技术，助力英伟达开启高性能计算新纪元

　　 3月18日的消息显示，据台湾媒体digitimes报道，SK海力士计划独家为英伟达Blackwell Ultra架构芯片提供第五代12层HBM3E内存。这可能进一步扩大其与三星电子和美光之间的技术差距。

　　 SK海力士在去年9月全球率先实现12层HBM3E芯片的量产，单颗芯片容量达到了36GB。这款芯片的运行速度高达9.6Gbps，展现出卓越的数据处理能力。以搭载四个HBM3E的GPU为例，在处理“Llama370B”这样的超大规模语言模型时，其性能表现尤为亮眼，每秒能够完成对700亿个参数的整体参数读取达35次。这不仅标志着存储技术的一次重要突破，也为高性能计算领域带来了新的可能性。 从我的角度来看，这项技术成果不仅体现了SK海力士在半导体领域的领先地位，同时也为人工智能和高性能计算的发展注入了强劲动力。随着大数据和AI模型规模的不断扩张，对高速、高密度存储的需求日益增长，而HBM3E正是针对这一需求量身定制的解决方案。未来，我们有理由期待这种技术能够在更多应用场景中落地，进一步推动整个行业的进步与创新。此外，考虑到当前时间已步入2025年，相信随着相关技术的持续迭代升级，它将在未来的科技舞台上扮演更加重要的角色。

　　 注意到，去年11月，SK集团会长崔泰源透露，英伟达CEO黄仁勋曾向SK海力士提出请求，希望其能提前半年交付下一代高带宽内存芯片HBM4。这一消息引发了行业内外的高度关注。在我看来，这不仅体现了英伟达对高性能计算技术的迫切需求，也反映了HBM4在未来高端芯片市场中的重要地位。作为半导体行业的领军企业之一，SK海力士在技术研发上的持续投入无疑是其赢得客户信任的关键因素。同时，这也表明全球科技巨头之间的合作愈发紧密，而这种深度协作或将推动整个产业链迈向更高水平的发展阶段。

　　 SK 海力士计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品，而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。

　　 今年2月有消息传出，三星电子已获准向英伟达提供其先进的8层HBM3E高带宽存储芯片。这一进展无疑为三星在高性能计算领域的发展注入了新的动力，但同时也凸显出它在高带宽内存（HBM）技术上的相对弱势地位。相较于SK海力士和美光科技等强劲对手，三星在这项关键技术上似乎仍需迎头赶上。 三星此次获批供应HBM3E芯片，表明其在高端芯片制造领域的技术实力得到了认可，这不仅有助于巩固其与英伟达的合作关系，也可能进一步推动整个行业的技术创新步伐。然而，面对市场对更高性能、更低功耗存储解决方案的需求，三星需要加快脚步缩小与领先者的差距。尤其是在人工智能和高性能计算需求不断增长的背景下，谁能率先掌握核心技术优势，谁就能占据更有利的竞争位置。 总体来看，三星的这一成就固然值得肯定，但未来能否在HBM技术领域实现质的飞跃，还有待观察其后续研发投入以及实际产品表现。与此同时，这也提醒我们，全球半导体竞争愈发激烈，任何一家企业都必须保持敏锐的洞察力与持续创新的能力，才能在全球舞台上站稳脚跟。

　　 而美光方面，美光在今年2月宣布，其12层堆叠的HBM3E内存产品即将进入大规模量产阶段。这一技术突破无疑将为高性能计算领域注入新的活力。随着人工智能、大数据分析等领域的快速发展，对高带宽内存的需求日益增长，而HBM3E凭借其卓越的性能和创新的堆叠设计，能够显著提升系统的运算效率。这不仅体现了美光在半导体技术上的持续领先地位，也为行业提供了更强大的解决方案选择。预计在未来几个月内，这项技术将在多个关键市场得到广泛应用，进一步推动相关产业的技术升级与变革。从长远来看，这种创新无疑会加速整个行业的进步，并为企业带来更多的商业机会。