打破极限！九峰山实验室实现氮化镓材料键合良率超99%全球首创技术震撼发布

超越想象！九峰山实验室氮化镓键合技术突破99%大关，开创全球先河

　　 3月24日消息显示，九峰山实验室的研究团队近期在全球范围内率先攻克了技术难关，成功制备出8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料。这一成果标志着半导体领域的一项重要突破。

　　 这一开创性的成果不仅突破了国际技术封锁，还为射频前端等系统级芯片在频率、效率和集成度等方面的发展提供了坚实的技术支撑，将促进下一代通信、自动驾驶、雷达探测以及微波能量传输等尖端技术的快速进步。

　　 氮化镓的晶体结构极性对其器件性能与应用有着至关重要的影响，其主要可分为氮极性的氮化镓和镓极性的氮化镓两种极化类型。

　　 研究表明，在高频、高功率器件领域，氮极性氮化镓相较于传统的镓极性氮化镓展现出显著的技术优势。然而，由于材料生长条件严苛、工艺复杂等瓶颈，目前全球仅有少数机构能够小批量生产2-4英寸氮极性氮化镓高电子迁移率衬底材料，且成本高昂，限制了其大规模应用。

　　 九峰山实验室的最新成果在多个层面展现了其技术革新意义。通过选用硅基衬底，这一技术不仅能够与现有的8英寸半导体生产线设备无缝对接，还成功融合了成熟的硅基CMOS工艺，大幅削减了制造成本，为未来的大规模商业化生产铺平了道路。此外，新材料在性能上实现了飞跃，既具备高电子迁移率，又拥有出色的可靠性，这为其广泛应用提供了坚实保障。尤其值得一提的是，键合界面的良率超过了99%，这一成就无疑为产业化的顺利推进注入了强心剂。 我认为，九峰山实验室的这些进展不仅标志着我国在高端半导体领域的自主创新能力进一步增强，同时也预示着相关技术可能在未来几年内引发行业变革。低成本、高性能以及高良率的结合，将极大推动新一代半导体器件的普及与应用。这种从研发到生产的全链条优化，不仅有助于提升国内产业链的整体竞争力，也为全球半导体行业的可持续发展贡献了中国智慧。期待实验室在未来能继续发挥引领作用，不断探索技术创新的新高度。

　　 氮极性氮化镓材料在高频段（如毫米波频段）具有优异表现，尤其适合应用于5G/6G通信、卫星通信以及雷达系统等高频操作场景。随着该技术的不断发展和普及，未来将在众多高科技领域得到广泛使用，助力相关行业的转型升级与创新发展。